STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 192-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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| 5 - 20 | € 2,206 | € 11,03 |
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- 192-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
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- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 215mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 215mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
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