onsemi NTMJS1D0N04C N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 300 A 166 W, 8-Pin LFPAK

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189-0506
Herst. Teile-Nr.:
NTMJS1D0N04CTWG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NTMJS1D0N04C

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

920μΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Breite

4.9mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK-E-Gehäuse, Industriestandard

Diese Geräte sind bleifrei

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