STMicroelectronics STS7NF60L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7,5 A 2,5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- 188-8543
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- STS7NF60L
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Typischer RDS(on) = 0,017 Ω
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 21 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±16 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.65mm |