STMicroelectronics Einfach STripFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 40 A 50 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 188-8491P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL40DN3LLH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Bei diesem Gerät handelt es sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der STMicroelectronics STripFET TM H5-Technologie entwickelt wurde. Das Gerät wurde optimiert, um einen sehr niedrigen Betriebswiderstand zu erreichen, was zu einem FoM beiträgt, der zu den besten seiner Klasse gehört.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringe Verlustleistung des Gate-Antriebs
Benetzbares Flankengehäuse
Anwendungen
Schaltanwendungen