STMicroelectronics, Oberfläche MOSFET 1.6 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 188-8294
- Herst. Teile-Nr.:
- STN790A
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Gerät wird in der Niederspannungs-PNP-Planartechnologie mit einem "Basisinsel"-Layout hergestellt. Der resultierende Transistor zeigt eine außergewöhnliche hohe Verstärkungsleistung in Verbindung mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung.
Sehr niedrige Kollektor-zu-Emitter-Sättigungsspannung
3 A kontinuierlicher Kollektorstrom
DC-Stromverstärkung, hFE> 100
SOT-223-Kunststoffgehäuse für SMD-Schaltkreise in Band- und Rollenverpackung
40 V Durchschlagsspannung V(BR)CER
Anwendungen
Energiemanagement in tragbaren Geräten
Spannungsregelung in Vorspannungsversorgungskreisen
Schaltregler in Akkuladegerätanwendungen
Treiber für schwere Lasten
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