Vishay SUM60020E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 188-5107
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM60020E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SUM60020E-GE3
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch das Durchlaufen von Vplateaus
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch das Durchlaufen von Vplateaus
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 151,2 nC @ 10 V |
| Länge | 10.41mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 9.65mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Höhe | 4.57mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |