Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5065
Herst. Teile-Nr.:
SQUN702E-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

Dreifach-Matrize

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

0.79V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

175°C

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQUN702E-T1_GE3


Dieser MOSFET ist eine oberflächenmontierte Leistungstransistorfamilie, die für Hochspannungsschaltungen in Automobil- und industriellen Steuerungssystemen entwickelt wurde. Es kombiniert sowohl P- als auch N-Kanal-Elemente in einer Common-Drain-Drei-Matrix-Konfiguration, um komplexe Power-Management-Topologien zu unterstützen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• 200 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme • 60 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung • Maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht erhöhte thermische Spielräume • 20-V-Gate-Toleranz für Standard-Gate-Drive-Spannungen • 23 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung

Anwendungen


• Geeignet für Kraftfahrzeugstromverteilung und Motorantriebsschaltkreise • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Umwandlungsstufen in Fahrzeugen • Verwendet für Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Kann für Lastschaltung und Schutz in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Multi-Element-Topologien verwendet, die kombinierte P- und N-Kanäle erfordern

Welcher thermischer Umgebungsbedingungen kann er für einen längeren Betrieb standhalten?


Er ist für den Betrieb bis zu 175 °C ausgelegt, mit einer unteren Umgebungsgrenze von -55 °C für Kaltstart-Szenarien.

Wie passt sich das Gerät an Mixed-Kanal-Schaltkreise an?


Die Konfiguration mit Dreifachmatrizen und Common Drain integriert P- und N-Kanal-Elemente in einem einzigen Gehäuse, um das Layout in komplementären Schaltanordnungen zu vereinfachen.

Welche Montageaspekte gelten für die Leiterplattenmontage?


Es wird als oberflächenmontierbare Komponente in einem 10-poligen Gehäuse geliefert, was eine automatisierte Montage und eine kompakte Platzierung der Platine ermöglicht.

Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für Gate- und Ablassklemmen beachten?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und die maximale Drain-Source-Spannung 200 V, um eine Überbelastung des Geräts zu verhindern.

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