Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 3, Oberfläche MOSFET 200 V Erweiterung / 30 A 60 W, 10-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5065
Herst. Teile-Nr.:
SQUN702E-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

Dreifach-Matrize

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Durchlassspannung Vf

0.79V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-MOSFET-Paar mit 40 V N- und P-Kanal und 200 V N-Kanal MOSFET.

Optimiertes Dreifach-Matrizengehäuse

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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