Vishay SiSS26LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 81.2 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Best.-Nr.:: 188-5033P
Herst. Teile-Nr.:: SISS26LDN-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SiSS26LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 81.2 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 10,41

(ohne MwSt.)

€ 12,49

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 01. Juni 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
10 +	€ 1,041

*Richtpreis

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	81.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	SiSS26LDN
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	57W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.78mm
	Breite	3.3 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie SiSS26LDN
	Gehäusegröße PowerPAK 1212
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 57W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.3mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.78mm
	Breite 3.3 mm
	Automobilstandard Nein