Vishay SiSS92DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 12.3 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 188-4960P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 98,30
(ohne MwSt.)
€ 118,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | € 0,983 |
| 250 - 490 | € 0,851 |
| 500 - 990 | € 0,65 |
| 1000 + | € 0,53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4960P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | SiSS92DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie SiSS92DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.78mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal 250 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® mit ThunderFET-Technologie optimiert die Balance von RDS(on), Qg, QSW und Qoss
Marktführer RDS(on) und RDS-Coss FOM