Vishay SIS862ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS862ADN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
9000 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 25)
€ 0,68
(ohne MwSt.)
€ 0,82
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 100 | € 0,68 | € 17,00 |
| 125 - 225 | € 0,612 | € 15,30 |
| 250 - 600 | € 0,578 | € 14,45 |
| 625 - 1225 | € 0,442 | € 11,05 |
| 1250 + | € 0,381 | € 9,525 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 188-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS862ADN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET, 60 V (D-S)
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 52 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 39 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19,8 nC @ 10 V |
| Länge | 3.15mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 3.15mm |
| Höhe | 1.07mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |