onsemi NVMFS5H663NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
185-9275
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS5H663NLT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NVMFS5H663NL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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