onsemi FDMS007N08LC N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 84 A 92,6 W, 8-Pin PQFN

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
Max. RDS(ein) = 6,7 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 21 A
Max. RDS(ein) = 9,9 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 17 A
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch / EMI
Logic Level Drive Capable
Anwendungen
Dieses Produkt ist allgemein verwendbar und für viele verschiedene Anwendungen geeignet
Endprodukte
Synchrone AC/DC-Gleichrichter
DC-DC Primär- und Sekundärmosfet
Motorsteuerungsschalter