onsemi NVMFS6H824N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 103 A 115 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
185-8155
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS6H824NT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

103A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFS6H824N

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)

Niedriger RDS (EIN)

Niedrige QG und Kapazität

NVMFS6H818NWF - Option für wettbare Flansche

PPAP-fähig

Kompaktes Design

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Prüfung

Für die Automobilindustrie geeignet

Anwendungen

Schaltnetzteile

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

48-V-Systeme

Endprodukte

Motorsteuerung

Lastschalter

DC/DC-Konverter

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