onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 184-4881
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000-D26Z
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Diese N-Kanal Small Signal MOSFETs werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semiconductor mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und bieten gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA DC benötigen, und können gepulste Ströme bis zu 2 A liefern Diese Produkte eignen sich besonders für Niederspannungsanwendungen.
Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
Stromkapazität für hohe Sättigung
Robust und zuverlässig
Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
Anwendungen
Kleine Servomotor-Steuerung
Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Verschiedene Switching-Anwendungen
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