onsemi N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 480 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 184-1305
- Herst. Teile-Nr.:
- NTR4170NT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.76nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.76nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dies ist ein 30-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.
Niedriger rDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige Gateladung
Niedrige Schwellenwerte
Anwendungen:
Leistungswandler für tragbare Geräte
Batteriemanagement
Last-/Netzschalter