onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 480 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
184-1305
Herst. Teile-Nr.:
NTR4170NT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

480mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.76nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.01mm

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dies ist ein 30-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.

Niedriger rDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige Gateladung

Niedrige Schwellenwerte

Anwendungen:

Leistungswandler für tragbare Geräte

Batteriemanagement

Last-/Netzschalter

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