onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL

RS Best.-Nr.:: 184-1252
Herst. Teile-Nr.:: NTMFS4833NT1G
Hersteller:: onsemi

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL

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RS Best.-Nr.:: 184-1252
Herst. Teile-Nr.:: NTMFS4833NT1G
Hersteller:: onsemi

Datasheet NTMFS4833NT1G

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	191 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SO-8FL
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	113,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	88 nC bei 11,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5.8mm
Breite	4.9mm
Höhe	1.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL

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