RS1E130GN RS1E130GNTB N-Kanal MOSFET, 30 V / 35 A, 22 W, HSOP 8-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
183-5451P
Herst. Teile-Nr.:
RS1E130GNTB
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

35 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSOP8

Serie

RS1E130GN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

17,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

22 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Länge

5.8mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,9 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
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