DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 182-7125
Herst. Teile-Nr.:: DMN2058UW-7
Hersteller:: DiodesZetex

DiodesZetex DMN2058UW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,6 A 1,13 W, 3-Pin SOT-23

8800 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.

Im Warenkorb

Preis pro 1 Stück (in Packung zu 100)

€ 0,178

(ohne MwSt.)

€ 0,214

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
100 - 100	€ 0,178	€ 17,80
200 - 400	€ 0,156	€ 15,60
500 - 900	€ 0,124	€ 12,40
1000 - 1900	€ 0,113	€ 11,30
2000 +	€ 0,104	€ 10,40
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 182-7125
Herst. Teile-Nr.:: DMN2058UW-7
Hersteller:: DiodesZetex

Datenblätter und Anleitungen

Datasheet DMN2058UW-7

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Informationen zur Produktgruppe

Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Motorsteuerung
Stromüberwachungsfunktionen
Hinterleuchtung.

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,6 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	91 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.2V
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,13 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,7 nC @ 10 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101

RS Best.-Nr.:: 182-7125
Herst. Teile-Nr.:: DMN2058UW-7
Hersteller:: DiodesZetex

Datasheet DMN2058UW-7