onsemi FDP4D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 128 A 150 W, 3-Pin TO-220

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Max RDS(on) = 4,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 128 A.
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 48 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter