Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme Leistungs-MOSFET 500 V / 16 A 220 W JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8623
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB17N50LPBF
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8623
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB17N50LPBF
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.32Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 220W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.32Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 220W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFB17N50L ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 500 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 30 V. Er hat ein TO-220AB-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,28 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 16 A.
Qg mit niedriger Gate-Ladung führt zu einer einfachen Anforderung an den Antrieb
Verbesserte Widerstandsfähigkeit von Gate, Lawinen und dynamischen dV/dt
Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
Geringe Trr- und weiche Diodenrückgewinnung
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