Vishay MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-220AB-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 200 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 48 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Dynamische dV/dt
• Hochspannungsisolierung = 2,5 kV eff (t = 60 s, f = 60 Hz)
• Isoliertes Gehäuse
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm

• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)