Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 25 A 136 W TO-252AA

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RS Best.-Nr.:
180-8043
Herst. Teile-Nr.:
SUD25N15-52-E3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252AA

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.052Ω

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.73 mm

Höhe

2.38mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Länge

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 150V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 136W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET

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