Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 4.8 A 5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-7862
Herst. Teile-Nr.:: SI7898DP-T1-E3
Hersteller:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 4.8 A 5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 180-7862
Herst. Teile-Nr.:: SI7898DP-T1-E3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Maximale Verlustleistung Pd	5W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.25mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Breite	5.26 mm
	Höhe	1.12mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Maximale Verlustleistung Pd 5W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.25mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Breite 5.26 mm
	Höhe 1.12mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 150 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 85 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 5 W und einen Dauerstrom von 4,8 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• neues PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und kleiner Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• PWM-optimiert

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET für schnelles Schalten

Anwendungen

• Primärseitige DC/DC-Netzteilschalter

• Industrielle Motorantriebe

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft