Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.6 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 180-7798
Herst. Teile-Nr.:: SI2369DS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.6 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 180-7798
Herst. Teile-Nr.:: SI2369DS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	7.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11.4nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.12mm
	Breite	2.64 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.4nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.12mm
	Breite 2.64 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 29 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 7,6 A und eine maximale Verlustleistung von 2,5 W. MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• DC/DC-Wandler

• für mobiles Computing

• Lastschalter

• Notebook-Adapterschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft