Vishay TrenchFET Gen IV N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-7743P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS476DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0035Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.61mm | |
| Länge | 3.61mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0035Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.61mm | ||
Länge 3.61mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay SIS476DN ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 30 V. Die Gate-Quelle-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein Power PAK 1212-8-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,0025 Ohm bei 10 VGS und 0,0035 Ohm bei 4,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: 40 A.
Trench-FET-Leistungs-MOSFET der IV
100 % Rg- und UIS-geprüft