Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
180-7421
Herst. Teile-Nr.:
SUM90P10-19L-E3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.019Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

97nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

0.625in

Normen/Zulassungen

RoHS Directive 2002/95/EC

Breite

10.414 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package, is a new-age product with a drain-source voltage of 100V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 19mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 375W. It can be used in the primary side switch. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

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