Vishay SiP32431 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 5.5 V / 1.2 A 250 mW, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 180-7353
- Herst. Teile-Nr.:
- SIP32431DR3-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 666,00
(ohne MwSt.)
€ 798,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,222 | € 666,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7353
- Herst. Teile-Nr.:
- SIP32431DR3-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 5.5V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | SiP32431 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 147mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 5.5V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie SiP32431 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 147mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
MOSFET der Serie SiP32431DR von Vishay, 5,5 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIP32431DR3-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Transistor, der für das Schalten von Niederspannungen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem bescheidenen Temperaturbereich für typische industrielle Umgebungen und wird in einem kleinen 6‐Leiter-SMD-Gehäuse geliefert, das für dichte Leiterplatten-Layouts geeignet ist. Das Gerät richtet sich an Anwendungen, die eine kontrollierte Schaltung mit niedrigem Strom und eine geringe Leistungsaufnahme in automatisierten und elektronischen Systemen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 5,5 V ermöglicht Schaltfähigkeit bei niedriger Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,2 A unterstützt moderate Lastströme
• Drain-Source-Ein-Widerstand von 147 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 250 mW begrenzt den Wärmeanstieg unter stabilen Bedingungen
• Der Betriebsbereich von -40 bis 85 °C ermöglicht den Einsatz in gängigen Umgebungen
• RoHS-Konformität vereinfacht das Endprodukt-Materialmanagement
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,2 A unterstützt moderate Lastströme
• Drain-Source-Ein-Widerstand von 147 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 250 mW begrenzt den Wärmeanstieg unter stabilen Bedingungen
• Der Betriebsbereich von -40 bis 85 °C ermöglicht den Einsatz in gängigen Umgebungen
• RoHS-Konformität vereinfacht das Endprodukt-Materialmanagement
Anwendungen
• Geeignet für Gate-Ansteuerung und Pegelverschiebung in Steuermodulen
• Ideal für das Batteriemanagement von Niederspannungs-Trennschaltungen
• Wird für Lastschaltvorgänge in kompakten Automatisierungssensoren verwendet
• Kann für den Signalpfadschutz in Messgeräten verwendet werden
• Wird mit kleinen Stromverwaltungsschaltkreisen auf dichten Leiterplatten verwendet
• Ideal für das Batteriemanagement von Niederspannungs-Trennschaltungen
• Wird für Lastschaltvorgänge in kompakten Automatisierungssensoren verwendet
• Kann für den Signalpfadschutz in Messgeräten verwendet werden
• Wird mit kleinen Stromverwaltungsschaltkreisen auf dichten Leiterplatten verwendet
Welche Montageart verwendet es für die Leiterplattenmontage?
Es handelt sich um ein Oberflächenmontagegerät in einem sechsadrigen SC‐70‐6-Gehäuse für die automatische Platzierung.
Wie verwaltet das Gerät die thermischen Grenzwerte während des Dauerbetriebs?
Seine maximale konstante Verlustleistung beträgt 250 mW, sodass das thermische Design der Leiterplatte und die Kupferfläche der erwarteten Verlustleistung entsprechen müssen, um sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung von Automobilsystemen geeignet?
Es ist nicht als zugelassener Automobilstandard spezifiziert und sollte nicht für qualifizierte Fahrzeugsysteme angenommen werden.
Welche Art von Leitfähigkeit bietet der Transistor?
Die Komponente ist ein P-Kanal-MOSFET, der eine P-Kanal-Leitung für High-Side- oder Polaritätsempfindliches Schalten bietet.
Verwandte Links
- Vishay SiP32431 Typ P-Kanal 6-Pin SC-70
- Vishay N-Kanal 6-Pin SC-70
- Microchip MIC94052 Typ P-Kanal 6-Pin SC-70
- Microchip MIC9405 Typ P-Kanal 6-Pin SC-70
- onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2 6-Pin SC-70
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal 6-Pin SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal 6-Pin SC-70
- Vishay Si1441EDH Typ P-Kanal 6-Pin SC-70