- RS Best.-Nr.:
- 178-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT007N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon
4000 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 2000)
€ 3,097
(ohne MwSt.)
€ 3,716
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
2000 + | € 3,097 | € 6.194,00 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 178-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT007N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 300 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | HSOF-8 |
Serie | OptiMOS 5 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Verlustleistung max. | 375 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 10.58mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 216 nC @ 10 V |
Breite | 10.1mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 2.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 178-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT007N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon