Microchip N-Kanal, SMD MOSFET 9 V / 330 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
178-5338
Herst. Teile-Nr.:
LND01K1-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

330 mA

Drain-Source-Spannung max.

9 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Depletion

Verlustleistung max.

360 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +0,6 V

Länge

3.05mm

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.75mm

Betriebstemperatur min.

–25 °C

Höhe

1.3mm

MOSFET-Transistoren, N-Kanal, LND01


Der Microchip LND01 ist ein MOSFET-Transistor mit niedrigem Schwellenwert und Verarmungsmodus (Ausschalter). Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.

Merkmale


Bidirektional
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb


MOSFET-Transistoren, Microchip

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