onsemi NVD5C478NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 42 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 178-4295
Herst. Teile-Nr.:: NVD5C478NT4G
Hersteller:: onsemi

onsemi NVD5C478NT4G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 42 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: VN

Informationen zur Produktgruppe

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und hoher Wärmeleistung. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hohe Strombelastbarkeit

PPAP-fähig

Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Spannungsüberlastungsschutz
Anwendungen
Treiber für Niederspannungsseite
Treiber für Hochspannungsseite
Motorantrieb
Endprodukte
Automobil-Antriebsstrang
Automobil-HLK-Motoren
ABS-Druckpumpen

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	42 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	30 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	6.22mm
Höhe	2.25mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

RS Best.-Nr.:: 178-4295
Herst. Teile-Nr.:: NVD5C478NT4G
Hersteller:: onsemi