Vishay Siliconix TrenchFET SiZ350DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 178-3944
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte
Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den
Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen
ANWENDUNGEN
Synchroner Abwärtsregler
DC/DC-Wandlung
Halbbrücke
POL
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte
Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den
Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen
ANWENDUNGEN
Synchroner Abwärtsregler
DC/DC-Wandlung
Halbbrücke
POL
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 |
Serie | TrenchFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
Verlustleistung max. | 16,7 W |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +16 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,5 nC @ 10 V |
Länge | 3mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 3mm |
Höhe | 0.75mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |