Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3903P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
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- Vishay Siliconix
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET