Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14.4 A 56.8 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 65,40

(ohne MwSt.)

€ 78,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
50 - 95€ 1,308
100 - 495€ 1,016
500 - 995€ 0,89
1000 +€ 0,80

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3875P
Herst. Teile-Nr.:
Si7190ADP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.99mm

Höhe

1.07mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

Verwandte Links