Vishay Siliconix TrenchFET SiR112DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 133 A 62,5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3686
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR112DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3686
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR112DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Qgd/Qgs-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Qgd/Qgs-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 133 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 62,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
| Breite | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5.99mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.07mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |