Vishay Siliconix TrenchFET SiR108DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 45 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3685
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR108DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3685
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR108DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 45 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.6V |
| Verlustleistung max. | 65,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.99mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27,5 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
| Höhe | 1.07mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |