Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-1416
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4321PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 85 A 350 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 178-1416
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4321PBF
Hersteller:: Infineon

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	85A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	350W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	71nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.66mm
	Höhe	9.02mm
	Breite	4.82 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 350W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.66mm
	Höhe 9.02mm
	Breite 4.82 mm
	Automobilstandard Nein

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