Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

RS Best.-Nr.:: 178-0914
Herst. Teile-Nr.:: IRFD024PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 178-0914
Herst. Teile-Nr.:: IRFD024PBF
Hersteller:: Vishay

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,5 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	HVMDIP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	6.29mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Höhe	3.37mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

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