Vishay IRFR110PBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,3 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 178-0901
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR110PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 540 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 6.73mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,3 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.22mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 2.39mm |