Vishay IRFI730G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0848
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI730GPBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | IRFI730G | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie IRFI730G | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Höhe 9.8mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFI730G von Vishay, 400 V Drain-Quellenspannung, 3,7 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFI730GPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das zur Steuerung des Stroms in Leistungsumwandlungs- und Schaltkreisen verwendet wird. Es handelt sich um einen N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen entwickelt wurde und für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Drain-Source-Spannungstoleranz und Standard-Gate-Treiber-Anordnungen mit Einzelversorgung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 400 V unterstützt Hochspannungsschaltung • 3,7 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine moderate Lasthandhabung • Maximale Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • 1 Ω maximaler Rds(on) unterstützt vorhersehbare Leitungsverluste • 38 nC typische Gate-Ladung für zuverlässige Schaltleistung • Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V sorgt für eine breite Antriebstoleranz
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen • Ideal für Gate-Stufen mit Motorantrieb in Automatisierungssystemen • Wird für den Austausch von Hochspannungsrelais in Schalttafeln verwendet • Kann für leitungsseitige Snubber- oder Klemmschaltungen verwendet werden • Geeignet für Tischnetzteile und Laborstrommodule
Welche Befestigungsaspekte beeinflussen das Wärmemanagement?
Das durchkontaktierte TO-220-Format ermöglicht die direkte Befestigung des Kühlkörpers an der Verpackungslasche für eine verbesserte Wärmeübertragung und eine reduzierte Anschlusstemperatur.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Umgebungstemperaturen?
Der Transistor arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C, was den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen ermöglicht und gleichzeitig die elektrischen Eigenschaften beibehält.
Wie hoch ist die typische Auswirkung der Schaltladung auf Antriebsstromkreise?
Die Gate-Ladung von 38 nC definiert die vom Treiber benötigte Energie und beeinflusst die Schaltgeschwindigkeit und die Stromanforderungen des Treibers während der Übergänge.
Gibt es Beschränkungen für den Gate-Antrieb, um Schäden zu verhindern?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, die nicht überschritten werden darf, um Gate-Oxid-Spannungen und potenzielle Geräteausfälle zu vermeiden.