Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
178-0830
Herst. Teile-Nr.:
IRF644SPBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

IRF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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