Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 178-0815
Herst. Teile-Nr.:: IRL510PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 178-0815
Herst. Teile-Nr.:: IRL510PBF
Hersteller:: Vishay

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,6 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	540 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	3,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Breite	4.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,1 nC bei 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.41mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.01mm

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin TO-220AB

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N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

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