Vishay IRFPG50 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.1 A 190 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0788
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPG50PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie IRFPG50 | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.7mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFPG50 von Vishay, 1000 V Drain-Source-Spannung, 190 W Verlustleistung – IRFPG50PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungssteuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Drain-to-Source-Spannungskapazität und ist für die Durchsteckmontage in Stromversorgungsbaugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung über einen breiten Umgebungsbereich erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1000 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6.1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 2 Ω vereinfacht den Gate-Antrieb und das thermische Design
• 190 nC typische Gate-Ladung informiert über das Energiebudget des Gate-Antriebs
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
• 6.1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 2 Ω vereinfacht den Gate-Antrieb und das thermische Design
• 190 nC typische Gate-Ladung informiert über das Energiebudget des Gate-Antriebs
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Antriebsmargen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden
• Wird für Wechselrichter- und USV-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Schalten von ohmscher Last in Prüfgeräten verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturszenarien
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden
• Wird für Wechselrichter- und USV-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Schalten von ohmscher Last in Prüfgeräten verwendet werden
• Geeignet für Durchsteckprototypen und Reparaturszenarien
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage entwickelt wurde, um eine zuverlässige Befestigung von Leiterplatten und Kühlkörpern zu ermöglichen.
In welchem Temperaturbereich ist er für den Betrieb ausgelegt?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie viele Stifte sind vorhanden und wie wirkt sich das auf das Layout aus?
Das Gerät verfügt über drei Pins, die einkanalige Standard-MOSFET-Leiterplatten-Layouts und herkömmliche Gate-, Drain- und Source-Routing ermöglichen.
Wie hoch ist die Durchlassspannung des Geräts und wie wirkt sich dies auf die Schaltverluste aus?
Die Durchlassspannung beträgt 1,8 V, was zur Berechnung der Leitungs- und Schaltenergie bei der Verwendung in Schaltkreisen mit Diodenleitungs- oder Body-Diode-Ereignissen beiträgt.