onsemi Doppelt NVMFD5C672NL N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 49 A 45 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3315
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C672NLT1G
- Hersteller:
- onsemi
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- NVMFD5C672NLT1G
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NVMFD5C672NL | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NVMFD5C672NL | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme
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