ROHM RD3L080SN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 15 W, 2 + Tab-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
172-0515P
Herst. Teile-Nr.:
RD3L080SNTL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3L080SN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

2 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

109 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

15 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,4 nC bei 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.8mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Der RD3L080SN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

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