Teile-Nr.

RQ5A020ZP RQ5A020ZPTL P-Kanal MOSFET, 12 V / 2 A, 1 W, SC-96, SOT-346T, TSMT 3-Pin

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	2 A
	Drain-Source-Spannung max.	12 V
	Serie	RQ5A020ZP
	Gehäusegröße	TSMT-3
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.3V
	Verlustleistung max.	1 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	3mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,5 nC @ 4,5
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	1.8mm
	Höhe	0.95mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 2 A
	Drain-Source-Spannung max. 12 V
	Serie RQ5A020ZP
	Gehäusegröße TSMT-3
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.3V
	Verlustleistung max. 1 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 3mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,5 nC @ 4,5
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 1.8mm
	Höhe 0.95mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Der RQ5A020ZP ist ein MOSFET mit G-S-Schutzdiode und niedrigem Betriebswiderstand, geeignet zum Schalten von Lasten.

Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung

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