ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

RS Best.-Nr.:: 171-9735
Herst. Teile-Nr.:: RQ5H030TNTL
Hersteller:: ROHM

ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

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RS Best.-Nr.:: 171-9735
Herst. Teile-Nr.:: RQ5H030TNTL
Hersteller:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3 A
Drain-Source-Spannung max.	45 V
Gehäusegröße	TSMT-3
Serie	RQ5H030TN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	95 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
Verlustleistung max.	1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,2 nC @ 4,5 V
Länge	3mm
Breite	1.8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.95mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

ROHM RQ5H030TN RQ5H030TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

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