Taiwan Semiconductor N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 53 W, 4-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
171-3703
Herst. Teile-Nr.:
TSM230N06CP ROG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.8mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

IEC 61249

Der Taiwan Semiconductor 60 V, 50 A, 28 mΩ, 3-poliger N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

RoHS-konform

Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.

Max. 53 W Verlustleistung

Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V

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