Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2471
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K339R
- Hersteller:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2471
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K339R
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Stromversorgungsschalter
DC/DC-Wandler
Gate-Ansteuerungsspannung 1,8 V
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@ VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)
RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)
RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@ VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)
RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@ VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)
RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@ VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)