Toshiba Doppelt N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
171-2410
Herst. Teile-Nr.:
SSM6N7002KFU
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.79V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.39nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.9mm

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TH
Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

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