Toshiba Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin US

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 132,00

(ohne MwSt.)

€ 159,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000€ 0,044€ 132,00
6000 - 6000€ 0,04€ 120,00
9000 +€ 0,038€ 114,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
171-2410
Herst. Teile-Nr.:
SSM6N7002KFU
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.79V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.39nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Höhe

0.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TH
Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 1,05 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 mΩ (typ.) (@ VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

Verwandte Links