Infineon IPB64N25S3-20 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 171-1959P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB64N25S320ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPB64N25S320ATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPB64N25S3-20 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10mm | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPB64N25S3-20 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10mm | ||
Automobilstandard AEC | ||
Der Infineon IPB64N25S3-20 ist der N-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie mit 250 V. Der Gehäusetyp des Geräts ist der 3-polige D2PAK und 175 °C Betriebstemperatur.
N-Kanal - Anreicherungstyp
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung